半導體產(chǎn)業(yè)ETF領(lǐng)漲，機構(gòu)：存儲行業(yè)景氣上行丨ETF基金日報

　　南財金融終端數(shù)據(jù)顯示，昨日(12月04日，下同)上證綜指日內(nèi)下跌0.06%，收于3875.79點，最高3888.86點；深證成指日內(nèi)上漲0.4%，收于13006.72點，最高13042.96點；創(chuàng)業(yè)板指日內(nèi)上漲1.01%，收于3067.48點，最高3075.46點。

　　昨日股票型ETF收益率中位數(shù)為0.29%。其中按照不同分類，規(guī)模指數(shù)ETF中廣發(fā)上證科創(chuàng)板100ETF收益率最高，為1.82%；行業(yè)指數(shù)ETF中招商中證衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)ETF收益率最高，為2.63%；策略指數(shù)ETF中博時中證全指自由現(xiàn)金流ETF收益率最高，為0.99%；風格指數(shù)ETF中易方達上證科創(chuàng)板成長ETF收益率最高，為1.95%；主題指數(shù)ETF中招商中證半導體產(chǎn)業(yè)ETF收益率最高，為3.63%。

　　昨日股票型ETF漲幅最高的3只ETF及其收益率分別為：招商中證半導體產(chǎn)業(yè)ETF（3.63%）、景順長城國證機器人產(chǎn)業(yè)ETF（3.16%）、華泰柏瑞上證科創(chuàng)板半導體材料設(shè)備主題ETF（3.14%）。漲幅前10詳情見下表：

　　昨日股票型ETF跌幅最大的3只ETF及其收益率分別為：鵬華中證酒ETF（-1.58%）、華夏中證旅游主題ETF（-1.54%）、富國中證旅游主題ETF（-1.43%）。跌幅前10詳情見下表：

　　昨日股票型ETF資金流入最多的3只ETF及其流入金額分別為：國泰中證A500ETF（流入4.56億元）、華夏上證50ETF（流入4.37億元）、華泰柏瑞滬深300ETF（流入4.14億元）。資金流入前10詳情見下表：

　　昨日股票型ETF資金流出最多的3只ETF及其流出金額分別為：永贏中證滬深港黃金產(chǎn)業(yè)股票ETF（流出3.09億元）、富國中證軍工龍頭ETF（流出2.48億元）、嘉實中證A500ETF（流出2.15億元）。資金流出前10詳情見下表：

　　昨日股票型ETF融資買入額最高的3只ETF及其買入金額分別為：華夏上證科創(chuàng)板50成份ETF（5.54億元）、嘉實上證科創(chuàng)板芯片ETF（2.74億元）、國泰中證全指證券公司ETF（2.66億元）。融資買入額前10詳情見下表：

　　昨日股票型ETF融資賣出額最高的3只ETF及其賣出金額分別為：華泰柏瑞滬深300ETF（1724.49萬元）、華夏中證1000ETF（787.93萬元）、南方中證500ETF（740.72萬元）。融券賣出額前10詳情見下表：

　　興業(yè)證券指出，存儲行業(yè)供需緊張景氣度持續(xù)上行，AI成為存儲未來需求核心驅(qū)動力。隨著AI訓練和推理對算力需求的快速增長，數(shù)據(jù)中心對HBM、大容量DDR5及企業(yè)級SSD的存儲需求快速增長，同時由于近兩年海外存儲原廠資本開支較少，擴產(chǎn)相對謹慎，供給側(cè)新增產(chǎn)能有限。該機構(gòu)預計，2026-2027年NAND供需缺口可能達到-14.20%、-14.25%，2026-2027年DRAM供需缺口或為-9.38%、-8.84%，供需將持續(xù)緊張。存儲領(lǐng)域“價格周期”和“技術(shù)周期”共振，有望帶動存儲資本開支超預期高斜率增長。

　　國金證券：國產(chǎn)半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來新一輪高速增長機遇

　　國金證券指出，存儲器是半導體中僅次于邏輯的第二大細分市場，其歷史表現(xiàn)與整個半導體周期走勢一致，但波動性大于整個行業(yè)，大市場與強周期屬性并存。隨著AI大模型驅(qū)動存儲技術(shù)向3D化演進，疊加長鑫、長存等國內(nèi)存儲大廠擴產(chǎn)項目落地，國產(chǎn)半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來新一輪高速增長機遇。

（文章來源：21世紀經(jīng)濟報道）

(原標題：半導體產(chǎn)業(yè)ETF領(lǐng)漲，機構(gòu)：存儲行業(yè)景氣上行丨ETF基金日報)

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